图1 OCD
VREFCAVREFDQ
对于VREF参考电压信号，这对于存储器系统的操作非常重要，VREF在DDR 3系统中被分成两个信号。
一个是
VREFCA命令和地址信号服务，其他是用于数据总线服务的VREFDQ，有效地提高了系统的总数据
线路噪声的信号电平如下图4所示。
图4
重置
重新启动是DDR 3的重要补充，并且针脚专门为此目的而准备。
该引脚有助于DDR3初始化。
当复位命令被激活时，DDR3存储器停止所有操作并变为无效状态以节省功率。
在重启期间
DDR3内存关闭大多数内部功能，所有数据接收器和发送器都关闭，所有内部程序设备都被重置。
DLL（延迟锁相环）和时钟电路即使忽略数据总线上的移动也会停止操作。
这样，函数看起来像这样：
为实现DDR 3的最大节能目标，新引脚如下图3所示。
数据掩码（DM）
数据掩码功能也称为部分写入。
仅支持配置x8和x16。
DM功能与DBI功能和TDQS功能共享相同的引脚。
DM功能仅用于写操作，不能与DBI写功能同时启用。
我们必须说TDQS功能具有最高优先级。如果启用了TDQS，则DM和DBI功能将无效。
如果禁用TDQS功能，DM和DBI将起作用。
但我不太了解它。DBI似乎与TDQS和DM共享引脚。
终端数据门控TerminationDataStrobe（TDQS）
对于x8 DIMM，每个8位字节都需要一对DQ选择通道（DQS / DQS＃）。对于DIMM x 4，上半部分
字节需要一对明亮的DQ（DQS / DQS＃）。
如果将这两个不同的DIMM模块混合在同一系统中，则为DQS
不同负载可能导致信号完整性问题。
TDQS解决了这个问题。
TDQS仅用于x 8 DRAM，但TDQS也使用DM功能和DM。
两对选通DQ，一对用于x4 DRAM的RDIMM 0，用于x 8 DRAM的RDIMM 1，x 4 RDIMM
在连接到x8的RDIMM 1中也实现了相同的功能。另一个选通不适用于RDIMM 1，但它已连接。
对于TDSQ对，如果启用TDQS，则保证所有选通引脚的加载。
这确保了信号完整性。